Advanced Simulation Methods For Gallium Nitride Electronic Devices: An accurate analysis of state-of-the-art high-frequency and high-power Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors
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Ein kompakter Leitfaden, der Ingenieuren zeigt, wie moderne Simulationsansätze die Leistung von Gallium‑Nitride‑HEMTs in Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen präzise vorhersagen und optimieren lassen.
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Advanced Simulation Methods For Gallium Nitride Electronic Devices, Fachbücher
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23-04-2026 14:34:17
