CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TBH Si/SiGe EN TEMPERATURE: CONTRIBUTION A LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION Si/SiGe EN TEMPERATURE

Dieses Buch liefert einen tiefgreifenden Einblick in die Temperaturdynamik von Si/SiGe-Heterojunction-Bipolartransistoren und präsentiert innovative Modellierungsstrategien zur Leistungssteigerung unter wechselnden Wärmebedingungen.

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