Hétérostructures GaN/AlN à champ électrique interne réduit: Croissance et propriétés optiques | DealShopping Deutschland
  1. Home
  2. Medien
  3. Bücher
  4. Hétérostructures GaN/AlN à champ électrique interne réduit: Croissance et propriétés optiques
  • #

Hétérostructures GaN/AlN à champ électrique interne réduit: Croissance et propriétés optiques

59.00 EUR

Ein Fachbuch, das GaN/AlN-Heterostrukturen mit reduzierten internen Feldern untersucht, neue Wachstumsstrategien vorstellt und die optischen Effekte für moderne Halbleitertechnologien beleuchtet.

Teilen:

Ähnliche Produkte

Design of Capacitorless Memory Cell based on GaN Heterostructures: Gallium Nitride Devices

Design of Capacitorless Memory Cell based on GaN Heterostructures: Gallium Nitride Devices

49.89 EUR
AlGaN/GaN Heterostructures: Fabrication and Electrical Characterization: Fabrication And Electrical Characterization Of AlGaN/GaN HFETs

AlGaN/GaN Heterostructures: Fabrication and Electrical Characterization: Fabrication And Electrical Characterization Of AlGaN/GaN HFETs

59.00 EUR
Two-dimensional electron transport in GaN/GaAs based heterostructures

Two-dimensional electron transport in GaN/GaAs based heterostructures

76.90 EUR
Couplage excitons-lumière dans des hétérostructures en GaN et ZnO: Technique d'analyse des spectres de réflectivité pour détermination des paramètres ... à grand gap

Couplage excitons-lumière dans des hétérostructures en GaN et ZnO: Technique d'analyse des spectres de réflectivité pour détermination des paramètres ... à grand gap

59.00 EUR
TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DANS LES NANOSTRUCTURES DE NITRURES: PHYSIQUE DES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DES HETEROSTRUCTURES DE GAN / ALN POUR ... À 1,3

TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DANS LES NANOSTRUCTURES DE NITRURES: PHYSIQUE DES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DES HETEROSTRUCTURES DE GAN / ALN POUR ... À 1,3 - 1,55 MICRON

71.90 EUR
Diodes électroluminescentes: l'éclairage de l'avenir en développement: Réalisation de sources lumineuses à haut rendement Lumen/$ à base d'hétérostructures GaN/AlGaN

Diodes électroluminescentes: l'éclairage de l'avenir en développement: Réalisation de sources lumineuses à haut rendement Lumen/$ à base d'hétérostructures GaN/AlGaN

49.00 EUR