Le transistor CMOS: la course vers le Nanomonde...: Précipitation du B dans le Si implanté et redistribution du B et Pt lors de l'inter-diffusion réactive dans les films minces Ni/Si
79.00 EUR
Ein wissenschaftliches Buch, das die Präzipitation von Bor im implantierten Silizium und die rekursive Interdiffusion von B und Pt in dünnen Ni/Si‑Schichten untersucht – ideal für Nanotechnologieexperten.
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Le transistor CMOS: la course vers le Nanomonde..., Fachbücher von D. Mangelinck, O. Cojocaru-Mirédin, D. Blavette
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21-05-2026 07:19:22
