Modélisation prédictive du transistor MOSFET fortement submicronique: Application à la conception et simulation des dispositifs intégrés

Dieses Buch liefert eine tiefgehende Analyse submikroner MOSFET‑Modelle, verbindet theoretische Grundlagen mit praktischen Simulationsansätzen und zeigt Ingenieuren Wege zur Optimierung von Leistungsparametern in modernen integrierten Schaltungen.

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