Photo-Excited Charge Collection Spectroscopy: Probing the traps in field-effect transistors

Erforscht die photoinduzierte Ladungssammelspektroskopie als präzises Werkzeug zur Lokalisierung von Defekt‑Löchern in Feldwirkungstransistoren und liefert dabei tiefgehende Einblicke in Halbleiterdefekte, die für die Optimierung moderner Schaltkreise entscheidend sind.

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