| Marca |
Samsung |
| EAN |
8801643068684 |
| ASIN |
B078WQC2GQ |
| Modelo |
MZ-N6E250BW |
| MPN |
MZ-N6E250BW |
| SKU |
MZ-N6E250BW |
| Algoritmos de seguridad soportados |
256-bit AES |
| Altura |
2,38 mm |
| Ancho |
80,2 mm |
| Capacidad |
256000 MB |
| Color |
Negro |
| Componente para |
PC/ordenador portátil |
| Consumo |
4 W |
| Controller |
Samsung MJX Controller |
| Discos duros internos |
SSD M.2 |
| Durabilidad (MTBF) |
1.5 Millón de horas |
| Encriptación de hardware |
Sí |
| Escritura aleatoria (4KB, QD1) |
Hasta 42,000 IOPS |
| Escritura aleatoria 4KB QD32 |
Hasta 88,000 IOPS |
| Función DevSleep |
Sí |
| GC (Garbage Collection) |
Auto Garbage Collection Algorithm |
| Golpes |
1,500 G & 0.5 ms |
| Golpes en funcionamiento |
1500 G |
| Interfaces |
Serial ATA III |
| Intervalo de humedad relativa durante almacenaje |
5 - 95 % |
| Intervalo de temperatura operativa |
0 - 70 °C |
| Lectura aleatoria (4KB, QD1) |
Hasta 10,000 IOPS |
| Lectura aleatoria 4KB QD32 |
Hasta 97,000 IOPS |
| Lectura secuencial |
Hasta 550 MB/s |
| Manual de usuario |
Sí |
| Peso |
8 g |
| Profundidad |
22,1 mm |
| Recolección activa de elementos no utilizados |
Sí |
| SMART |
Sí |
| Soporte Modo Suspensión en dispositivo |
Sí |
| Soporte S.M.A.R.T |
S.M.A.R.T |
| Soporte S.M.A.R.T. |
Sí |
| Soporte TRIM |
Sí |
| SW de gestión |
Magician |
| Tamaño de unidad de almacenamiento de búfer |
512 MB |
| Tiempo medio entre fallos |
1500000 h |
| Tipo de controlador |
Samsung MJX |
| Tipo de flash NAND |
MLC (Multi Level Cell) |
| Tipo de memoria |
V-NAND MLC |
| Tipo NAND |
Samsung V-NAND 3bit MLC |
| Velocidad de escritura |
520 MB/s |
| Velocidad de transferencia de datos |
6 Gbit/s |