SSD Interno Samsung 860 PRO 256 GB
SSD Samsung 860 PRO 256 GB in formato 2,5″, con controller MJX e V‑NAND MLC; lettura sequenziale fino a 560 MB/s e scrittura a 530 MB/s, 512 MB di cache LPDDR4 per risposte rapide. La cifratura hardware AES 256‑bit protegge i dati, mentre TCG Opal 2.0 e S.M.A.R.T. garantiscono sicurezza e monitoraggio continuo. Il dispositivo è leggero (50 g), resistente a 1500 G di shock e funziona tra 0 °C e 70 °C, ideale per laptop e desktop che richiedono velocità e protezione avanzata.
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SAMSUNG - SSD 256 GB Serie 860 PRO 2.5'' Interfaccia Sata III 6 Gb / s Stand Alone
eprice.it
11-12-2024 20:31:41
| Marchio | Samsung |
| EAN | 8801643120498 |
| ASIN | B078WQJXND |
| Modello | MZ-76P256B/EU |
| MPN | MZ-76P256B/EU |
| SKU | MZ-76P256B/EU |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
| Altezza | 69,8 mm |
| Colore | Nero |
| Componente per | PC |
| Consumo energetico | 2.0 W (medio) - 3.3 W (Burst) |
| Consumo energetico max | 3,3 W |
| Consumo energetico medio | 1 W |
| Controller | Controller Samsung MJX |
| Criptaggio hardware | Si |
| Dimensioni | 100 x 69,85 x 6,8 mm |
| Dimensioni di buffer del drive | 512 MB |
| Fattore di forma | 2.5" |
| Garanzia limitata | 5 anni o fino a 300 TBW |
| Interfaccia | Serial ATA III |
| Interfaccia solid state drive | SATA |
| Larghezza | 100 mm |
| Lettura casuale | Fino a 100.000 IOPS |
| Lettura sequenziale | Fino a 560 Mb/s |
| Memoria cache | SDRAM DDR4 a basso consumo da 512 GB Samsung |
| Modalità Sleep | Sì |
| MTBF | 2000000 h |
| Peso | 50 g |
| Profondit | 6,8 mm |
| Range di umidit di funzionamento | 5 - 95% |
| Scrittura casuale | Fino a 90.000 IOPS |
| Serie | 860 PRO |
| Shock | 1500 G e 0,5 ms (mezza sinusoide) |
| Shock di funzionamento | 1500 G G |
| Supporto S.M.A.R.T. | Si |
| Supporto SMART | Sì |
| Supporto TRIM | Sì |
| Tipo controller | Samsung MJX |
| Tipo memoria | V-NAND MLC |
| Tipo nand | Samsung V-NAND 2bit MLC |
| Velocit di scrittura | 530 MB/s |
| Velocit di trasferimento dati | 6 Gbit/s |
| Vibrazione di non-funzionamento | 20 G G |
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